晶圆级硅通孔封装结构
授权
摘要
本实用新型提供一种晶圆级硅通孔封装结构，包括具有焊垫的基板和设置于所述基板上的晶圆，所述晶圆具有暴露所述焊垫的贯通孔，所述晶圆上表面和所述贯通孔内壁面设置有一层绝缘层，所述焊垫和所述绝缘层上形成有金属层，其中，所述贯通孔侧壁垂直于所述晶圆表面，于所述贯通孔内，所述绝缘层和所述金属层的结合面底部形成内倒角结构。通过利用环形通孔，使绝缘层和金属层之间结合面于底部形成内倒角的结构，大幅降低了对封装结构中各层厚度及结构均一性的要求，并且配合使用干膜压合工艺形成绝缘层显著简化了生产工艺流程，无需高端设备及工艺要求，降低了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
晶圆级硅通孔封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122636790.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
CN216563077U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
李瀚宇
申请人 ：
苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区汀兰巷29号
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈晓敏
优先权 ：
CN202122636790.0
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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