本发明提供了一种通孔结构的制备方法和缩小通孔尺寸的方法。该制备方法包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结构的一侧具有基底；在半导体结构的远离基底的一侧中形成凹槽；在具有凹槽的半导体结构的表面覆盖薄膜沉积材料，部分薄膜沉积材料位于凹槽表面；对薄膜沉积材料和半导体结构进行各向异性刻蚀，以形成贯穿至基底的通孔，剩余的薄膜沉积材料环绕与凹槽对应的通孔。本发明的上述制备方法中通过上述薄膜沉积材料能够实现通孔的进一步缩小以及精确控制；并且，本发明的上述制备方法是在原有工艺上进行的改进，工艺简单易于实施，且本发明的上述薄膜沉积材料环绕通孔，能够用于降低刻蚀电浆引起氧化层缺陷伤害。