低通孔双大马士革结构的制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开实施例提供一种低通孔双大马士革结构的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有导电层，在所述导电层上依次形成有刻蚀停止层、第一介质层、中间停止层和第二介质层；在所述第二介质层形成介电抗反射层；在所述介电抗反射层上形成光刻胶层；以所述光刻胶层为掩模刻蚀所述介电抗反射层、第二介质层、中间停止层、第一介质层和刻蚀停止层，形成至少两个通孔，所述通孔底部暴露出部分所述刻蚀停止层；在所述通孔中形成刻蚀阻挡层；在所述第二介质层中形成沟槽，所述至少两个通孔位于所述沟槽内；以及去除所述刻蚀阻挡层，并去除所述通孔底部的剩余的刻蚀停止层，暴露出所述衬底上的导电层。
基本信息
专利标题 ：
低通孔双大马士革结构的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267634A
申请号 ：
CN202111576126.X
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高国磊焦鹏王晓日卢丛阳祝建吕穿江
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
骆苏华
优先权 ：
CN202111576126.X
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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