一种铜－气体介质大马士革结构及其制造方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明的铜－气体介质大马士革结构，在刻蚀阻挡层之间先淀积挥发性有机材料层，在该有机材料层上刻蚀并淀积氧化膜，再在该氧化膜上进行大马士革铜工艺制造，最后除去该挥发性有机材料层，填入氦气并封口，完成铜－气体介质大马士革结构的制造。通过使用可挥发性有机材料来形成铜－气体介质大马士革结构。此方法容易大规模生产，并且产出的铜－气体介质大马士革芯片结构稳定，有均一的介电常数K≈1，导热性能好。

基本信息

专利标题：

一种铜－气体介质大马士革结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1996588A

申请号：

CN200510003373.5

公开（公告）日：

2007-07-11

申请日：

2005-12-31

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

缪炳有方精询朱骏

申请人：

上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司;上海华虹NEC电子有限公司

申请人地址：

201203上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼

代理机构：

上海智信专利代理有限公司

代理人：

王洁

优先权：

CN200510003373.5

主分类号：

H01L23/522

IPC分类号：

H01L23/522 H01L21/768

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/52

用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置

H01L23/522

包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的

法律状态

2019-06-28 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/522
登记生效日 : 20190610
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海集成电路研发中心有限公司
变更后权利人 : 上海集成电路研发中心有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 上海华虹（集团）有限公司上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹（集团）有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司

2011-04-06 ：

授权

2009-01-28 ：

实质审查的生效

2007-07-11 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载