利用空气填充降低介电常数的大马士革结构及其制造方法
授权
摘要
本发明通过优化半导体器件金属互联的设计布局，预留可形成气体填充结构的区域，在完成铜后道金属互联工艺后，对芯片的上述区域进行光刻，刻蚀工艺操作，完成气体空腔的制造。随后采用多重填涂并每次填涂后伴随烘烤利用钝化光敏有机材料进行有空填涂，降低了半导体结构的整体介电常数，从而实现空气填充大马士革结构。在降低整体器件的介电常数的同时并没有增加工艺的复杂性，兼顾了器件的坚固性和稳定性的表现。此外，涂布于器件表面的钝化光敏有机材料还可以起到保护器件防止紫外线、宇宙粒子损伤的功能，同时可以吸收并减轻器件封装时产生的应力效应，进一步保护器件。
基本信息
专利标题 ：
利用空气填充降低介电常数的大马士革结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1996589A
申请号 ：
CN200510003374.X
公开（公告）日 ：
2007-07-11
申请日 ：
2005-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱骏
申请人 ：
上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司
申请人地址 ：
201203上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
王洁
优先权 ：
CN200510003374.X
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2010-10-13 ：
授权
2009-01-28 ：
实质审查的生效
2007-07-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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