高介电常数材料
专利权的终止
摘要

电容器(10)包括衬底(12)和两个金属电极(14,18)。在电极之间形成介电层(16)。优选地,该介电层具有大于25的介电常数和对硅具有足够的导带偏移。提出的示例性实施方案使用以下材料体系:HfuTivTawOxNy、HfuTivOxNy、TiuSrvOxNy、TiuAlvOxNy和HfuSrvOxNy (其中u、v、w、x和y是在介电叠层中元素的原子比例)。

基本信息
专利标题 :
高介电常数材料
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1832143A
申请号 :
CN200610004005.7
公开(公告)日 :
2006-09-13
申请日 :
2006-01-06
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
S·戈文达拉詹
申请人 :
因芬尼昂技术股份公司
申请人地址 :
德国慕尼黑
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
范赤
优先权 :
CN200610004005.7
主分类号 :
H01L21/8242
IPC分类号 :
H01L21/8242  H01L21/8222  H01L21/82  H01L21/314  H01L21/02  H01L21/00  H01L27/108  H01L27/102  H01L27/10  H01L27/00  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件,例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2018-02-27 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20060106
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20170106
2016-01-13 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101726607850
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL2006100040057
登记生效日 : 20151223
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 奇梦达股份公司
变更后权利人 : 英飞凌科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 德国慕尼黑
变更后权利人 : 德国瑙伊比贝尔格市
2012-10-31 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101457936829
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL2006100040057
变更事项 : 专利权人
变更前 : 因芬尼昂技术股份公司
变更后 : 英飞凌科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 德国慕尼黑
变更后 : 德国慕尼黑
2012-10-31 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101457936830
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL2006100040057
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 英飞凌科技股份有限公司
变更后权利人 : 奇梦达股份公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 德国慕尼黑
变更后权利人 : 德国慕尼黑
登记生效日 : 20120920
2010-05-12 :
授权
2006-11-08 :
实质审查的生效
2006-09-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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