低介电常数玻璃
授权
摘要

本发明提供一种低介电常数玻璃,所述玻璃的组分以重量百分比表示,含有:SiO2:55~80%、B2O3:10~40%、Al2O3:1~10%、Rn2O:0.5~10%,其中SiO2/B2O3为1.5~3.5,所述Rn2O为Li2O、Na2O、K2O中的一种以上。通过合理的组分设计,本发明玻璃的量产工艺性能好,相对介电常数较低,为电子领域的介电材料选择带来了更大的自由度。

基本信息
专利标题 :
低介电常数玻璃
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112777931A
申请号 :
CN202110037827.X
公开(公告)日 :
2021-05-11
申请日 :
2021-01-12
授权号 :
CN112777931B
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
蔡冬雪
申请人 :
成都光明光电股份有限公司
申请人地址 :
四川省成都市龙泉驿区成龙大道三段359号
代理机构 :
成都希盛知识产权代理有限公司
代理人 :
蒲敏
优先权 :
CN202110037827.X
主分类号 :
C03C3/091
IPC分类号 :
C03C3/091  C03C4/00  C03C3/095  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C03
玻璃;矿棉或渣棉
C03C
玻璃、釉或搪瓷釉的化学成分;玻璃的表面处理;由玻璃、矿物或矿渣制成的纤维或细丝的表面处理;玻璃与玻璃或与其他材料的接合
C03C3/00
玻璃组成
C03C3/04
含二氧化硅
C03C3/076
用40%至90%的二氧化硅
C03C3/089
含硼
C03C3/091
含铝
法律状态
2022-04-15 :
授权
2021-05-28 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C03C 3/091
申请日 : 20210112
2021-05-11 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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