一种降低等效介电常数的转接板结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种降低等效介电常数的转接板结构，包括：第一转接板；第一导电通孔，所述第一导电通孔贯穿设置在所述第一转接板内；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第一转接板的上表面；第一布局布线层，所述第一布局布线层设置在所述第一绝缘层上方，且与所述第一导电通孔电连接；第二转接板，所述第二转接板的设置在所述第一转接板的下方；第二导电通孔，所述第二导电通孔贯穿设置在所述第二转接板内，且与所述第一导电通孔电连接；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第二转接板的下表面；第二布局布线层，所述第二布局布线层设置在所述第二绝缘层的下方，且与所述第二导电通孔电连接；以及内部空腔，所述内部空腔设置在所述第一转接板与所述第二转接板的键合面附近。
基本信息
专利标题 ：
一种降低等效介电常数的转接板结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921982402.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-15
授权号 ：
CN210467766U
授权日 ：
2020-05-05
发明人 ：
周云燕宗小雪楚姣曹立强
申请人 ：
上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区创新西路778号
代理机构 ：
上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张东梅
优先权 ：
CN201921982402.0
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2020-05-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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