低介电常数隐晶层及纳米结构
授权
摘要
本发明提供一种用于在现有技术半导体晶片上制造应用特性低介电常数(低k)隐晶层和用于由隐晶制造有机化的纳米结构的方法，并涉及到光学和电子器件，其可由这些材料获得。在此公开的结果表明使用化学汽相处理(CVP)的单晶基质的结构和化学成分的改性导致高质量隐晶层，所述隐晶层是均质的且与半导体晶片形成光滑界面。通过该方法，对于介电隐晶层形成可实现1μm/小时那样高的生长速度。本发明还提供一种方法，用于通过将隐晶转变成有机化的系统制造微米和纳米线。通过该方法，能制造尺寸从几纳米到1000纳米且长度达50微米的纳米线。隐晶、纳米线和有机化的结构可用在未来的互连中作为级间和金属间电介质，用在制造超高密度存储单元中，用在信息安全中作为密钥产生器，用在制造光电部件中，用在先进微米和纳米电子封装和传感器中的制造冷却通道中
基本信息
专利标题 ：
低介电常数隐晶层及纳米结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101176189A
申请号 ：
CN200680017063.1
公开（公告）日 ：
2008-05-07
申请日 ：
2006-02-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·卡勒姆
申请人 ：
土耳其科学和技术研究委员会
申请人地址 ：
土耳其安卡拉
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张雪梅
优先权 ：
CN200680017063.1
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/316 H01L21/768 H01L21/28 H01L21/331 H01L21/20 H01L29/06 H01L21/336 H01L33/00 G06F21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2011-05-11 ：
授权
2008-07-02 ：
实质审查的生效
2008-05-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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