改进低介电常数层的粘附强度的方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

提供了一种用于制造半导体器件的方法。在一个特定实施例中，所述方法包括给半导体衬底提供表面区域。所述表面区域包括覆盖所述半导体衬底的一个或多个层。另外，所述方法包括形成覆盖所述表面区域的电介质层以及形成覆盖所述电介质层的扩散阻挡层。此外，所述方法包括使所述扩散阻挡层经受等离子体环境以促进在界面区域的所述扩散阻挡层和所述电介质层之间的粘附。所述方法还包括处理所述半导体衬底，同时保持在所述界面区域的所述电介质层和所述扩散阻挡层之间的附着。使所述扩散阻挡层经受等离子体环境包括保持所述阻挡扩散层的厚度。

基本信息

专利标题：

改进低介电常数层的粘附强度的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1983525A

申请号：

CN200510111389.8

公开（公告）日：

2007-06-20

申请日：

2005-12-12

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

汪钉崇

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

徐谦

优先权：

CN200510111389.8

主分类号：

H01L21/3105

IPC分类号：

H01L21/3105

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/31

在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择

H01L21/3105

后处理

法律状态

2011-12-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101241312330
IPC(主分类) : H01L 21/3105
专利号 : ZL2005101113898
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111111

2009-02-04 ：

授权

2007-08-15 ：

实质审查的生效

2007-06-20 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

CN100459064C.PDF

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2、

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