本发明公开了一种高介电常数金属栅的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底上沉积高介电常数层；步骤二、形成第一阻档层；步骤三、沉积非晶硅盖帽层；步骤四、预处理，控制预处理的温度和氧气的流量使非晶硅盖帽层的表面产生氧化；步骤五、进行尖峰退火处理以吸收高介电常数层中的氧元素，利用尖峰退火处理结合非晶硅盖帽层的表面被氧化的结构抑制在尖峰退火处理中出现硅成核以及硅晶长大，以有利于后续非晶硅盖帽层的去除；步骤六、对非晶硅盖帽层进行无硅残留的去除并同时避免损伤第一阻档层。本发明对高介电常数层的第一阻档层顶部的非晶硅盖帽层在吸氧后进行无硅残留去除，同时能避免损伤第一阻档层，最后能提高器件的可靠性。