本发明公开了一种金属栅制造方法，包括按现有工艺制作至栅氧化层，形成介质层并淀积形成伪多晶硅栅层；淀积硬掩膜层；涂覆光刻胶，定义窗口，刻蚀形成阵列状的硬掩膜层开口；去除光刻胶，离子注入；执行氧化工艺，在硬掩膜层开口处的伪多晶硅栅层形成氧化凹坑结构；去除硬掩膜层；执行后续金属栅多晶硅硬掩膜工艺、金属栅多晶硅刻蚀工艺和金属栅金属层工艺。本发明通过在伪多晶硅栅层形成矩阵型氧化凹坑结构，进而形成顶部具有氧化凹坑结构的多晶硅柱结构，该氧化凹坑结构作为后续伪多晶硅栅层去除的阻挡层和金属层CMP的停止层，能在后续metal gate研磨过程中消除dishing问题，并最终起到改善metal gate研磨凹陷问题。