用于形成低介电常数氟掺杂层的方法

专利权的终止

摘要

提供了一种用于形成半导体器件的方法。在一个实施例中，所述方法包括提供具有表面区域的半导体衬底。表面区域包括覆盖半导体衬底的一个或多个层。另外，所述方法包括沉积覆盖表面区域的电介质层。电介质层通过CVD工艺形成。并且，所述方法包括形成覆盖电介质层的扩散阻挡层。另外，所述方法包括形成覆盖扩散阻挡层的导电层。另外，所述方法包括使用化学机械抛光工艺来减小导电层的厚度。CVD工艺利用氟作为反应剂以形成电介质层。另外，电介质层与等于或小于3.3的介电常数相关联。

基本信息

专利标题：

用于形成低介电常数氟掺杂层的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101022087A

申请号：

CN200610023915.X

公开（公告）日：

2007-08-22

申请日：

2006-02-16

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

汪钉崇

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

徐谦

优先权：

CN200610023915.X

主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L21/768 H01L21/31

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/71

限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造

H01L21/768

利用互连在器件中的分离元件间传输电流

法律状态

2020-02-11 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20060216
授权公告日 : 20090909
终止日期 : 20190216

2011-12-28 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101254512572
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL200610023915X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111121

2009-09-09 ：

授权

2007-10-17 ：

实质审查的生效

2007-08-22 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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