用于形成交联层的方法
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摘要
一种在基材(1)上形成用于引导自组装材料自组装的交联层(2)方法，所述方法包括：a)提供具有基材(1)的结构，b)在基材(1)上提供一层可光交联且可热交联的物质(3)，所述物质(3)在交联时适合用于引导所述自组装材料的自组装，c)使所述可交联物质(3)部分地光交联，d)进一步使所述物质(3)热交联，由此形成交联层(2)。
基本信息
专利标题 ：
用于形成交联层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110164754A
申请号 ：
CN201910120237.6
公开（公告）日 ：
2019-08-23
申请日 ：
2019-02-18
授权号 ：
CN110164754B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
D·吉恩斯J·多伊斯
申请人 ：
IMEC非营利协会;鲁汶天主教大学
申请人地址 ：
比利时勒芬
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
蔡文清
优先权 ：
CN201910120237.6
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 G03F7/038
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-03-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20190218
申请日 : 20190218
2019-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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