用于膜形成的前驱体和用于形成含钌膜的方法
授权
摘要
用于沉积钌膜的前驱体，其包含溶于至少一种非可燃性溶剂，优选氟化溶剂中的四氧化钌，所述溶剂具有通式CxHyFzOtNu，式中：2x+2≤y+z且2≤x≤15且z＞y且t+u≥1(t+u优选等于1)，x、y、z、t和u为正整数。
基本信息
专利标题 ：
用于膜形成的前驱体和用于形成含钌膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101048853A
申请号 ：
CN200580037025.8
公开（公告）日 ：
2007-10-03
申请日 ：
2005-09-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·迪萨拉柳田和孝J·伽蒂诺
申请人 ：
乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请人地址 ：
法国巴黎
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
林柏楠
优先权 ：
CN200580037025.8
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/285 C23C16/06 C23C16/40 C01G55/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2012-12-19 ：
授权
2010-08-11 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003964004
IPC(主分类) : H01L 21/02
专利申请号 : 2005800370258
公开日 : 20071003
号牌文件序号 : 101003964004
IPC(主分类) : H01L 21/02
专利申请号 : 2005800370258
公开日 : 20071003
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2007-10-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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