前驱膜及其形成方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
在低成本下容易地形成具有需要的镓成分比例的前驱膜。本发明提供用于形成CIS型薄膜太阳能电池等的光吸收层的前驱膜，或形成所述膜的方法。通过利用包含具有镓成分比例为X wt％Ga的Cu－Ga合金层的前驱膜作为靶进行溅射而形成作为第一层的具有高的镓成分比例(Ga/(Ga+Cu))为X wt％Ga的Cu－Ga层(沉积步骤A)。之后，通过利用铜层作为靶进行溅射而形成作为在所述第一层上的第二层的铜层(沉积步骤B)，由此形成按所述第一层和第二层合计具有需要的镓成分比例为Y wt％Ga(X＞Y)的前驱膜。通过同时进行汽相淀积形成膜的方法也是可以的。
基本信息
专利标题 ：
前驱膜及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101095242A
申请号 ：
CN200580045298.7
公开（公告）日 ：
2007-12-26
申请日 ：
2005-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
栗谷川悟田中良明名古屋义则
申请人 ：
昭和砚壳石油株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
梁晓广
优先权 ：
CN200580045298.7
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/032 H01L21/363
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法律状态
2009-09-09 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-20 ：
实质审查的生效
2007-12-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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