用于形成高介电常数电介质层的方法和系统
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明提供了一种在衬底上制备用于高介电常数电介质层的界面层的方法。将所述衬底的表面暴露于氧自由基以形成氧化物膜，所述氧自由基通过第一处理气体的紫外(UV)辐射诱导解离而形成，所述第一处理气体包含至少一种包含氧的分子组合物。将氧化物膜暴露于氮自由基以氮化所述氧化物，从而形成界面层，所述氮自由基通过第二处理气体的等离子体诱导解离而形成，所述第二处理气体包含至少一种包含氮的分子组合物。高介电常数电介质层形成在所述界面层上。
基本信息
专利标题 ：
用于形成高介电常数电介质层的方法和系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101151717A
申请号 ：
CN200680010825.5
公开（公告）日 ：
2008-03-26
申请日 ：
2006-02-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
考利·瓦吉达井下田真信格特·莱乌辛克
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李剑
优先权 ：
CN200680010825.5
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31 H01L21/469
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
2012-01-11 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101260717956
IPC(主分类) : H01L 21/31
专利申请号 : 2006800108255
公开日 : 20080326
号牌文件序号 : 101260717956
IPC(主分类) : H01L 21/31
专利申请号 : 2006800108255
公开日 : 20080326
2008-05-21 ：
实质审查的生效
2008-03-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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