形成穿过电介质的金属/半导体触点的方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种在至少一个金属层(5)和至少一个半导体衬底(1)之间形成穿过半导体器件(100)中的至少一个电介质层(4)的触点(6.1至6.n)的方法。该半导体器件(100)在半导体衬底(1)的称为“基极”的至少一个面(2)上包括电介质层(4)。在该电介质层(4)上堆叠有金属层(5)。使装配在支撑体(12)上的若干突出元件(13.1至13.n)的加热端同时与金属层(5)接触，从而在突出元件(13.1至13.n)的加热端下面形成熔化金属区(14.1至14.n)。熔化金属横穿电介质(4)，并且与熔化金属区(14.1至14.n)的水平高度上的衬底(1)的半导体融合，从而形成触点(6.1至6.n)。
基本信息
专利标题 ：
形成穿过电介质的金属/半导体触点的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101116188A
申请号 ：
CN200680003965.X
公开（公告）日 ：
2008-01-30
申请日 ：
2006-02-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
皮埃尔·吉恩·里贝龙埃马纽埃尔·罗兰
申请人 ：
法国原子能委员会
申请人地址 ：
法国巴黎
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN200680003965.X
主分类号 ：
H01L31/0224
IPC分类号 ：
H01L31/0224 H01L27/142 H01L31/18 H01L21/28
法律状态
2013-03-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101426318851
IPC(主分类) : H01L 31/0224
专利号 : ZL200680003965X
申请日 : 20060206
授权公告日 : 20090422
终止日期 : 20120206
号牌文件序号 : 101426318851
IPC(主分类) : H01L 31/0224
专利号 : ZL200680003965X
申请日 : 20060206
授权公告日 : 20090422
终止日期 : 20120206
2009-04-22 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2008-01-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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