用于在形成通至导电部件的触点时减少电介质过蚀刻的方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及用于在形成通至导电部件的触点时减少电介质过蚀刻的方法。在本发明的第一优选实施例中，将导电部件(44)形成在第一介电蚀刻停止层(40)上，且将第二介电材料(48)沉积在所述导电部件上方及之间。在所述第一与第二电介质之间具有选择性的通至所述导电部件的通路蚀刻将停止在所述介电蚀刻停止层上，从而限制过蚀刻。在第二实施例中，以减去图案及蚀刻工艺形成多个导电部件(64)，用介电填充剂(68)对其进行填充，且然后形成共同暴露导电部件及介电填充剂的表面。将介电蚀刻停止层(72)沉积在所述表面上，然后第三电介质(74)覆盖所述电介质蚀刻停止层。当穿过所述第三电介质蚀刻触点(76)时，所述选择性蚀刻会停止在所述电介质蚀刻停止层上。第二蚀刻可形成通至所述导电部件的触点。
基本信息
专利标题 ：
用于在形成通至导电部件的触点时减少电介质过蚀刻的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN102683267A
申请号 ：
CN201210013376.7
公开（公告）日 ：
2012-09-19
申请日 ：
2006-03-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
克里斯托弗·J·佩蒂
申请人 ：
桑迪士克3D公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘国伟
优先权 ：
CN201210013376.7
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2020-03-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20060321
授权公告日 : 20150408
终止日期 : 20190321
申请日 : 20060321
授权公告日 : 20150408
终止日期 : 20190321
2016-09-14 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101738799716
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2012100133767
变更事项 : 专利权人
变更前 : 桑迪士克科技股份有限公司
变更后 : 桑迪士克科技有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国得克萨斯州
变更后 : 美国得克萨斯州
号牌文件序号 : 101738799716
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2012100133767
变更事项 : 专利权人
变更前 : 桑迪士克科技股份有限公司
变更后 : 桑迪士克科技有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国得克萨斯州
变更后 : 美国得克萨斯州
2016-07-27 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101736330900
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2012100133767
登记生效日 : 20160706
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 桑迪士克3D公司
变更后权利人 : 桑迪士克科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 美国得克萨斯州
号牌文件序号 : 101736330900
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2012100133767
登记生效日 : 20160706
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 桑迪士克3D公司
变更后权利人 : 桑迪士克科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 美国得克萨斯州
2015-04-08 ：
授权
2012-11-14 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101346529309
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利申请号 : 2012100133767
申请日 : 20060321
号牌文件序号 : 101346529309
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利申请号 : 2012100133767
申请日 : 20060321
2012-09-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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