电介质薄膜、薄膜电介质元件及其制造方法
授权
摘要
本发明提供一种相对介电常数高、漏电流密度小、物理特性和电气特性稳定的电介质薄膜，并且提供高容量且高可靠性的薄膜电容器等薄膜电介质元件及其制造方法。薄膜电介质元件制造方法含有具有由组成式(BaxSr (1－x))aTiO3 (0.5＜x≤1.0、0.96＜a≤1.00)表示的氧化物、例如钛酸钡锶且厚度为500nm以下的电介质薄膜、以及在导电电极上形成该电介质薄膜之后在氧化性气氛中进行退火工序。
基本信息
专利标题 ：
电介质薄膜、薄膜电介质元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790569A
申请号 ：
CN200510119998.8
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
内田清志堀野贤治齐田仁
申请人 ：
TDK株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
郭煜
优先权 ：
CN200510119998.8
主分类号 ：
H01G4/12
IPC分类号 ：
H01G4/12 H01B3/12 C04B35/46
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器；及其制造方法
H01G4/002
零部件
H01G4/018
电介质
H01G4/06
固体电介质
H01G4/08
无机电介质
H01G4/12
陶瓷电介质
法律状态
2010-06-09 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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