强电介质电容器及其制造方法和强电介质存储装置
专利权的终止
摘要
本发明所要解决的问题是提供一种强电介质特性良好、难以产生电极膜的剥离的强电介质电容器及其制造方法与强电介质存储装置。本发明的强电介质电容器的制造方法，在基体(10)的上方顺序配置下部电极(20)、至少一个中间电极(40)和上部电极(60)，并在各个电极之间设置强电介质膜(30、50)。在中间电极(40)的形成工序中，(a)在强电介质膜(30)的上方通过溅射法形成第一金属膜(41)，(b)在第一金属膜(41)的上方通过蒸镀法形成第二金属膜(46)。
基本信息
专利标题 ：
强电介质电容器及其制造方法和强电介质存储装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1763911A
申请号 ：
CN200510107137.8
公开（公告）日 ：
2006-04-26
申请日 ：
2005-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大桥幸司木岛健
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200510107137.8
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/02 H01L21/283 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2019-09-17 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/00
申请日 : 20050928
授权公告日 : 20090107
终止日期 : 20180928
申请日 : 20050928
授权公告日 : 20090107
终止日期 : 20180928
2009-01-07 ：
授权
2006-06-14 ：
实质审查的生效
2006-04-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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