具有纳米复合电介质结构的电容器及其制造方法
专利权的终止
摘要
提供了一种具有纳米复合电介质结构的电容器及其制造方法。所述电容器包括：下电极、纳米复合电介质结构和上电极。通过以纳米组合物形式混合氧化铪(HfO2)层和介电常数等于或大于所述HfO2层的介电常数的电介质层获得所述纳米复合电介质结构。所述电介质层包括选自ZrO2、La2O3和Ta2O5的材料，每个层具有约25到约30的介电常数和约4.3到约7.8的带隙能级。
基本信息
专利标题 ：
具有纳米复合电介质结构的电容器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1855500A
申请号 ：
CN200510097530.3
公开（公告）日 ：
2006-11-01
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉德信洪权
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨红梅
优先权 ：
CN200510097530.3
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L27/102 H01L27/10 H01L21/8242 H01L21/8222 H01L21/82 H01L21/02 H01L21/31 H01B3/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2012-03-14 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101201910882
IPC(主分类) : H01L 27/108
专利号 : ZL2005100975303
申请日 : 20051230
授权公告日 : 20090422
终止日期 : 20101230
号牌文件序号 : 101201910882
IPC(主分类) : H01L 27/108
专利号 : ZL2005100975303
申请日 : 20051230
授权公告日 : 20090422
终止日期 : 20101230
2009-04-22 ：
授权
2006-12-27 ：
实质审查的生效
2006-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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