具有硅纳米结构的片上超级电容器
授权
摘要
一种片上超级电容器，具有包括一维的硅(Si)纳米结构(3)的电极，所述一维的硅(Si)纳米结构(3)涂覆有氮化钛(TiN)的第一层(10)。所述片上超级电容器还包括沉积在第一层上的二氧化锰(MnO2)的第二层(20)。还公开了一种相关的方法。
基本信息
专利标题 ：
具有硅纳米结构的片上超级电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110462773A
申请号 ：
CN201880016550.9
公开（公告）日 ：
2019-11-15
申请日 ：
2018-03-06
授权号 ：
CN110462773B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
陈旭源吕派佩尔·阿尔弗雷德·厄尔克斯
申请人 ：
挪威东南大学
申请人地址 ：
挪威康斯伯格
代理机构 ：
北京安信方达知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨明钊
优先权 ：
CN201880016550.9
主分类号 ：
H01G11/26
IPC分类号 ：
H01G11/26 H01G11/46 H01G11/02 H01G11/70 H01G11/86 H01G11/68 H01G11/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G11/00
混合电容器，即具有不同正极和负极的电容器；双电层电容器；其制造方法或其零部件的制造方法
H01G11/22
电极
H01G11/26
以它们的结构为特征的，如多层、多孔或表面特征
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2019-12-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01G 11/26
申请日 : 20180306
申请日 : 20180306
2019-11-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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