具有高K电介质存储电容器的DRAM及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种动态随机存取存储单元包括形成于半导体主体中的晶体管。电容器连接至晶体管上且包括由硅形成的第一电容器极板。金属层与第一电容器极板相邻且与之电连接。电容器电介质层与金属层相邻。该电容器电介质层包括具有介电常数大于约5的材料。第二电容器极板与电容器电介质相邻。电容器可以是沟槽电容器或叠式电容器。
基本信息
专利标题 ：
具有高K电介质存储电容器的DRAM及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828905A
申请号 ：
CN200610004025.4
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·戈文达拉詹
申请人 ：
因芬尼昂技术股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
范赤
优先权 ：
CN200610004025.4
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2010-08-11 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003936746
IPC(主分类) : H01L 27/108
专利申请号 : 2006100040254
公开日 : 20060906
号牌文件序号 : 101003936746
IPC(主分类) : H01L 27/108
专利申请号 : 2006100040254
公开日 : 20060906
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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