微电子器件的电介质多层及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种适合于改善微电子器件性能的电介质多层和制造电介质多层的方法。微电子器件的电介质多层包括：由两种或更多不同元素的氧化物形成并且其中不形成层状结构的复合层，以及形成在复合层的至少一个表面上并由单一元素的氧化物形成的单层。
基本信息
专利标题 ：
微电子器件的电介质多层及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779980A
申请号 ：
CN200510113817.0
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
元皙俊权大振李钟镐
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200510113817.0
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L27/00 H01L29/92 H01L23/485 H01L21/316 H01L21/28 H01L21/82 H01L21/8242 H01L21/02 H01L21/00 H01B3/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2009-10-07 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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