制造氮化栅极电介质的方法
专利权的终止
摘要
用氮化步骤(16)和退火处理栅极电介质(14)。此后，执行另外的氮化步骤(20)和退火。第二氮化(20)和退火导致最终形成的晶体管(60)的栅极漏电流密度和电流驱动之间关系的改善。
基本信息
专利标题 ：
制造氮化栅极电介质的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101124665A
申请号 ：
CN200680001528.4
公开（公告）日 ：
2008-02-13
申请日 ：
2006-02-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林尚羽保罗·A·格鲁德斯基骆典应奥路班密·O·艾蒂图图星·H·曾
申请人 ：
飞思卡尔半导体公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
康建峰
优先权 ：
CN200680001528.4
主分类号 ：
H01L21/3205
IPC分类号 ：
H01L21/3205 H01L21/336 H01L21/31
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
法律状态
2017-03-29 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101709358605
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利号 : ZL2006800015284
申请日 : 20060208
授权公告日 : 20090909
终止日期 : 20160208
号牌文件序号 : 101709358605
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利号 : ZL2006800015284
申请日 : 20060208
授权公告日 : 20090909
终止日期 : 20160208
2009-09-09 ：
授权
2008-04-30 ：
实质审查的生效
2008-02-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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