超薄栅极CMOS器件的制造方法
授权
摘要
本申请公开了一种超薄栅极CMOS器件的制造方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：在衬底上形成浅沟槽隔离；形成栅氧化层、多晶硅层；形成I/O器件LDD注入区图案和I/O器件栅极，I/O器件栅极上覆盖有光刻胶；进行I/O器件的LDD注入形成I/O器件LDD注入区；形成I/O器件的第一栅极侧墙；形成核心器件栅极；进行核心器件的LDD注入形成核心器件LDD注入区；形成核心器件的栅极侧墙和I/O器件的第二栅极侧墙；形成源漏极；解决了现有技术难以在超薄CMOS器件制造工艺中集成I/O器件的问题；达到了在超薄CMOS器件制造工艺中实现集成I/O器件，并保证I/O器件和核心器件的性能的效果。
基本信息
专利标题 ：
超薄栅极CMOS器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110739273A
申请号 ：
CN201911042424.3
公开（公告）日 ：
2020-01-31
申请日 ：
2019-10-30
授权号 ：
CN110739273B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
陈瑜陈华伦熊伟
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
罗雅文
优先权 ：
CN201911042424.3
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L27/092
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-02-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20191030
申请日 : 20191030
2020-01-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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