制造具有不同沟道配置的多栅极器件的设备和方法
公开
摘要
本公开涉及制造具有不同沟道配置的多栅极器件的设备和方法。方法包括：提供第一鳍结构和第二鳍结构，所述第一鳍结构和第二鳍结构各自从衬底延伸。在所述第一鳍结构上形成第一栅极环绕式(GAA)晶体管，所述第一GAA晶体管具有第一多个纳米结构内的沟道区域。在所述第二鳍结构上形成第二GAA晶体管，所述第二GAA晶体管具有第二沟道区域配置。所述第二GAA晶体管具有第二多个纳米结构内的沟道区域。所述第二多个纳米结构少于所述第一多个纳米结构。
基本信息
专利标题 ：
制造具有不同沟道配置的多栅极器件的设备和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613727A
申请号 ：
CN202210108832.X
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李宗霖叶主辉林大文叶致锴
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
桑敏
优先权 ：
CN202210108832.X
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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