本发明公开了一种GaN基双沟道HEMT器件，其包括外延结构，该外延结构包括沿设定方向依次设置的第一、第二、第三半导体层，该第一、第二、第三半导体层的禁带宽度依次增大，该第一、第三半导体层中的任一者与第二半导体层的界面处均形成有二维电子气，并且组成该第二、第三半导体层的半导体材料具有相同晶格常数；该外延结构还与源、漏、栅极配合。本发明提供的GaN基双沟道HEMT器件因具有双沟道层、双势垒层结构，有效提高了二维电子气的面密度，从而大幅提高了HEMT器件的输出电流和输出功率密度，进一步的，通过使第二、第三半导体层的组成材料具有相同的晶格常数，还有效降低了器件外延结构内部的位错密度和应力，提高了器件的工作稳定性和可靠性。