一种双沟槽型SiC MOSFET元胞结构、器件及制造方法

实质审查的生效

摘要

本发明公开了一种双沟槽型SiC MOSFET元胞结构、器件及其制造方法，包括N⁺⁺型SiC衬底、N^‑型SiC漂移层、P型基区和N⁺型源区，N^‑型SiC漂移层位于N⁺⁺型SiC衬底上方，其中具有源极沟槽和栅极沟槽，源极沟槽底部具有N型空穴阻挡层和源极P⁺型屏蔽层；栅极沟槽底部具有N型电流传导层和栅极P⁺型屏蔽层，在栅极沟槽中具有栅介质层和栅电极；P型基区和N⁺型源区位于源极沟槽和栅极沟槽之间的N^‑型SiC漂移层上，并自下而上排列。本发明进一步加强对漏极电压的屏蔽，有利于减小栅介质层电场峰值和栅漏电容，提高栅介质层可靠性和器件工作频率，并可以减小器件导通电阻，还可以增强器件短路能力。

基本信息

专利标题：

一种双沟槽型SiC MOSFET元胞结构、器件及制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114267739A

申请号：

CN202210003612.0

公开（公告）日：

2022-04-01

申请日：

2022-01-05

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

张文渊马鸿铭王哲

申请人：

北京昕感科技有限责任公司

申请人地址：

北京市大兴区北京经济技术开发区同济中路甲7号18幢5层1单元509

代理机构：

北京秉文同创知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

赵星

优先权：

CN202210003612.0

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336 H01L29/16 H01L29/423

法律状态

2022-04-19 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20220105

2022-04-01 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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