一种L型基区SiC MOSFET元胞结构、器件及制造方法

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摘要

本发明公开了一种L型基区SiC MOSFET元胞结构、器件及其制造方法，包括N⁺⁺型SiC衬底、N^‑型SiC漂移层、P型基区和N⁺型源区，N^‑型SiC漂移层位于N⁺⁺型SiC衬底上方，其中具有源极沟槽和栅极沟槽，在栅极沟槽中具有栅介质层和栅电极；P型基区和N⁺型源区位于源极沟槽和栅极沟槽之间的N^‑型SiC漂移层上，并自下而上排列，在P型基区与N^‑型SiC漂移层之间具有N型电流传导层，P型基区与源极沟槽之间具有源极N⁺型欧姆接触区。本发明的器件结构能够进一步减小导通电阻和栅漏电容，有利于减小导通损耗和开关损耗，提高工作频率，并能够避免P型基区的提前击穿，保证器件可靠性。

基本信息

专利标题：

一种L型基区SiC MOSFET元胞结构、器件及制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114023810A

申请号：

CN202210003560.7

公开（公告）日：

2022-02-08

申请日：

2022-01-05

授权号：

CN114023810B

授权日：

2022-04-08

发明人：

张文渊马鸿铭王哲

申请人：

北京昕感科技有限责任公司

申请人地址：

北京市大兴区北京经济技术开发区同济中路甲7号18幢5层1单元509

代理机构：

北京秉文同创知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

赵星

优先权：

CN202210003560.7

主分类号：

H01L29/08

IPC分类号：

H01L29/08 H01L21/336 H01L29/78

法律状态

2022-04-08 ：

授权

2022-02-25 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/08
申请日 : 20220105

2022-02-08 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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