一种元胞结构以及功率器件

授权

摘要

本实用新型提供了一种元胞结构以及功率器件，涉及功率半导体领域。元胞结构，包括：第一绝缘部，第一绝缘部具有一端开口的容纳槽；第一介质部，第一介质部设置于容纳槽的底部；第二介质部，第二介质部设置于容纳槽内，且位于第一介质部远离底面的一侧；第二绝缘部，设置于第一介质部和第二介质部之间。本实用新型提供的元胞结构，在容纳槽内设有被第二绝缘部隔开且相互绝缘的第一介质部和第二介质部。如此，第一介质部相当于在容纳槽的底部设置了一个额外的电极板，使整个沟槽底部区域的电场分布较为平缓，有效的解决了沟槽底部电场集中的问题，使得此处发生电场击穿的概率大大降低，有效的提高了器件的可靠性和稳定性。

基本信息

专利标题：

一种元胞结构以及功率器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921951579.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-12

授权号：

CN210866181U

授权日：

2020-06-26

发明人：

曾丹史波肖婷敖利波

申请人：

珠海格力电器股份有限公司

申请人地址：

广东省珠海市前山金鸡西路

代理机构：

北京华夏泰和知识产权代理有限公司

代理人：

郭金鑫

优先权：

CN201921951579.4

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06