一种高压MOSFET器件的元胞结构及应用其的高压MOSF...
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摘要
本实用新型实施例公开了一种高压MOSFET器件的元胞结构及应用其的高压MOSFET器件，其中每个元胞结构的第一导电类型碳化硅衬底上设有第一导电类型的碳化硅外延层；第一导电类型的碳化硅外延层中分别注入设有第二导电类型体区、第二导电类型基区和第一导电类型源区、电流加强注入区，其中注入第二导电类型基区时采用倾斜注入，斜注入后第二导电类型基区在上表面靠近掩蔽层端形成圆弧型注入形貌；第一导电类型的碳化硅外延层上方设有栅氧化层，并设有栅极；第一导电类型的碳化硅外延层上方淀积设有隔离介质，在接触源区处开口，并蒸发设有欧姆接触金属和源极加厚金属形成的源极；晶圆正面淀积设有钝化层，并设有刻蚀开孔露出的金属电极。
基本信息
专利标题 ：
一种高压MOSFET器件的元胞结构及应用其的高压MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020396719.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-25
授权号 ：
CN212303675U
授权日 ：
2021-01-05
发明人 ：
陈欣璐黄兴陈然
申请人 ：
派恩杰半导体（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区浦沿街道六和路368号一幢(北)三楼D3204室
代理机构 ：
杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
董世博
优先权 ：
CN202020396719.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/10 H01L29/78
法律状态
2021-01-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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