高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构，包括漏极金属、第一导电类型衬底、外延层、沟槽、栅氧层、栅极导电多晶硅、绝缘介质层与源极金属，第二导电类型体区被沟槽切割成条状并且互相平行，在第二导电类型体区的上表面两侧均设有在沟槽的延伸方向上呈间隔设置的第一导电类型源区，在第二导电类型体区的上表面中部设有第二导电类型阱区，第一导电类型源区的下表面低于第二导电类型阱区的下表面，块状第二导电类型阱区沿着沟槽的延伸方向上呈间隔设置在第二导电类型阱区上，第一导电类型源区被块状第二导电类型阱区断开。本实用新型减小了寄生积极电阻，在器件击穿时，寄生三极管不容易开启，避免了发生回跳现象。
基本信息
专利标题 ：
高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021091327.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-12
授权号 ：
CN212033028U
授权日 ：
2020-11-27
发明人 ：
朱袁正周锦程王根毅周永珍
申请人 ：
无锡新洁能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN202021091327.1
主分类号 ：
H01L29/417
IPC分类号 ：
H01L29/417 H01L29/06 H01L29/78 H01L21/027 H01L21/28 H01L21/336
法律状态
2020-11-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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