防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构，它包括漏极金属、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、沟槽、栅氧层、栅极导电多晶硅、绝缘介质层、第二导电类型体区、第一导电类型源区、第二导电类型阱区与源极金属。本实用新型结构由于采用了研磨工艺去除了平台区顶部的第一导电类型源区，使得源极金属与第二导电类型阱区的接触面积明显增加，减小了寄生基极电阻，在器件击穿时，寄生三极管不容易开启；当本实用新型的第二导电类型阱区呈块状设置在所述平台区顶部的两侧的第一导电类型源区之间时，不仅可以使得寄生基极电阻减小，抑制寄生三极管开启，更能够防止第二导电类型阱区影响阈值电压。
基本信息
专利标题 ：
防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021816771.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-27
授权号 ：
CN213150777U
授权日 ：
2021-05-07
发明人 ：
朱袁正周锦程王根毅周永珍
申请人 ：
无锡新洁能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN202021816771.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/8232
法律状态
2021-05-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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