元胞结构及其应用的半导体组件

授权

摘要

本申请是一种元胞结构及其应用的半导体组件，所述元胞结构包括半导体衬底，其上设置多数个第一与第二槽单元，载流子势垒区与第一电场屏蔽区分别设置于第一与第二槽单元的槽底，并于外围设置第二电场屏蔽区，槽内设置导电材料而对应形成二栅极区，并选择性的设置形成屏蔽多晶硅与栅极多晶硅的结构。源体区设置于相邻第一槽单元之间并接触半导体衬底顶部的第一金属层，上部区设置于第一与第二槽单元之间并通过绝缘介质与第二金属层隔离，所述源体区表面紧贴所述第一槽单元与所述第二槽单元中至少一者的侧边设置有一个以上的源区。半导体衬底底部则设置第一半导体区及其接触的第二金属层。

基本信息

专利标题：

元胞结构及其应用的半导体组件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922395658.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-27

授权号：

CN210984732U

授权日：

2020-07-10

发明人：

杜文芳

申请人：

南京芯舟科技有限公司

申请人地址：

江苏省南京市浦口区江浦街道浦口大道1号新城总部大厦506-1室

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司

代理人：

亓赢

优先权：

CN201922395658.8

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/739