一种功率半导体芯片元胞的热电耦合建模方法
授权
摘要
本发明公开了一种功率半导体芯片元胞的热电耦合建模方法，包括以下步骤：S1、将功率半导体芯片划分为多元胞结构；S2、提取芯片的电压‑电流‑温度三维模型；S3、提取元胞的电压‑电流‑温度三维模型；S4、求出任一温度分布下元胞电流分配比例和相应损耗；S5、各元胞产生温升叠加得到芯片整体温度梯度；S6、重复步骤S4、S5直至温度梯度偏差收敛；S7、提取不同工况条件下的芯片表面温度峰值，计算对应的功率模块热阻。本发明通过将芯片集总式傅里叶级数解析热模型与多元胞分布式电学模型进行结合，实现了功率半导体芯片元胞的热电耦合建模与计算。另外，本发明所需计算量小、求解时间短、不存在收敛性问题，特别适合功率半导体芯片温度的在线预测。
基本信息
专利标题 ：
一种功率半导体芯片元胞的热电耦合建模方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112699588A
申请号 ：
CN202110025236.0
公开（公告）日 ：
2021-04-23
申请日 ：
2021-01-08
授权号 ：
CN112699588B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
李武华陈宇吴强周宇罗皓泽何湘宁
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
郑海峰
优先权 ：
CN202110025236.0
主分类号 ：
G06F30/23
IPC分类号 ：
G06F30/23 G06F30/398 G06F17/13 G06F17/14 G06F111/10 G06F119/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/23
使用有限元方法或有限差方法
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2021-05-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/23
申请日 : 20210108
申请日 : 20210108
2021-04-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
