大功率半导体热电芯片组件
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要

一种大功率半导体热电芯片组件,由中层基板、半导体热电元件、上、下导流板组成,中层基板为绝缘材料成型板或绝缘材料浇注板,中层基板上具有多个与热电元件大小相吻合的穿孔,穿孔内分别安装有P型半导体热电元件和N型半导体热电元件,上、下导流板与中层基板胶合固定,并与半导体热电元件电连接,上、下导流板加工成若干互相绝缘的小块,构成半导体热电元件的并联、串联或并串联组合。本实用新型优化了工艺,降低了成本,提高了效率,并能实现大功率、高可靠性、工业化大批量生产制造。

基本信息
专利标题 :
大功率半导体热电芯片组件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620052057.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-08-28
授权号 :
CN200941396Y
授权日 :
2007-08-29
发明人 :
邓贤金王勇胡善荣谢建雄
申请人 :
邓贤金
申请人地址 :
423000湖南省郴州市华宁花园18栋3单元406
代理机构 :
长沙正奇专利事务所有限责任公司
代理人 :
魏国先
优先权 :
CN200620052057.7
主分类号 :
H01L35/32
IPC分类号 :
H01L35/32  
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法律状态
2009-11-04 :
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-08-29 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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