热电堆芯片
授权
摘要
涉及集成电路技术领域，本申请公开一种热电堆芯片，包括衬底、支撑层及位于所述支撑层的热电偶，支撑层设置有红外吸收层，所述衬底对应所述红外吸收层刻蚀有空穴，热电堆芯片还设置用作电极焊点的凹槽，凹槽从所述衬底延伸至所述支撑层，凹槽设置两个，且两个凹槽分别位于所述空穴的相对两侧，衬底厚度在20μm至30μm之间，所述支撑层包括氮化硅薄膜或氧化硅薄膜，氮化硅膜厚度5μm‑10μm，所述红外吸收层为碳化的光刻胶层，热电偶中的一支半导体为多晶硅条，所述热电偶中的一支半导体为铝条，本方案提供一种贴片式的热电堆芯片，解决现有引脚式芯片中引脚分压影响传感器校准精度的技术问题，提高芯片的封装效率，扩大芯片的应用范围。
基本信息
专利标题 ：
热电堆芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020762459.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-09
授权号 ：
CN211957687U
授权日 ：
2020-11-17
发明人 ：
林苡任陈道坤曾丹史波马颖江
申请人 ：
珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市前山金鸡西路
代理机构 ：
北京华夏泰和知识产权代理有限公司
代理人 ：
王卫忠
优先权 ：
CN202020762459.6
主分类号 ：
H01L35/28
IPC分类号 ：
H01L35/28 H01L35/30
法律状态
2020-11-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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