一种热电堆传感器芯片
授权
摘要
本实用新型提供了一种热电堆传感器芯片，该热电堆传感器芯片包括：硅衬底；氮化硅支撑层，沉积在所述硅衬底的一侧；背腔，刻蚀在所述硅衬底的另一侧；多个串联连接的热电偶对，设置在所述氮化硅支撑层上；所述热电偶对包括第一热电偶对和第二热电偶对；所述热电偶对均包括热电偶部Ⅰ、热电偶部Ⅱ、热结部和冷结部；所述热电偶部Ⅰ的一端，通过所述热结部与所述热电偶部Ⅱ的一端连接；所述热电偶部Ⅰ的另一端，通过所述冷结部与所述热电偶部Ⅱ的另一端连接；以及电极焊盘，与串联连接的热电偶对的两端连接。该热电堆传感器芯片具有实用性强、响应率高和响应时间短的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种热电堆传感器芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921064713.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-09
授权号 ：
CN210040257U
授权日 ：
2020-02-07
发明人 ：
高胜国杨志博郭海周古瑞琴张小水
申请人 ：
郑州炜盛电子科技有限公司
申请人地址 ：
河南省郑州市高新技术开发区金梭路299号
代理机构 ：
郑州德勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄红梅
优先权 ：
CN201921064713.9
主分类号 ：
H01L35/32
IPC分类号 ：
H01L35/32 H01L35/02 H01L27/16
法律状态
2020-02-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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