热电偶传感器及其制备方法
公开
摘要
本发明提供了一种热电偶传感器及其制备方法。所述热电偶传感器的衬底内设置有内腔结构和阻挡结构，所述阻挡结构围设于所述内腔结构的开口端部，避免了使用复杂的背面工艺形成背腔，有效降低了工艺成本；通过所述阻挡结构控制所述内腔结构的顶部开口范围，有利于提高集成度。
基本信息
专利标题 ：
热电偶传感器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300607A
申请号 ：
CN202111647179.6
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
康晓旭钟晓兰蒋宾
申请人 ：
上海集成电路研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
代理机构 ：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄海霞
优先权 ：
CN202111647179.6
主分类号 ：
H01L35/32
IPC分类号 ：
H01L35/32 H01L35/34 G01K7/02
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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