电场传感器及其制备方法
授权
摘要
本申请公开了一种电场传感器及其制备方法，所示电场传感器包括：一种电场传感器，其特征在于，包括：绝缘基底(110)，所述绝缘基底(110)上设有凹槽；金属层(120)，形成于所述绝缘基底(110)上且悬空形成于所述凹槽上；含电荷介质层(130)，形成于所述金属层(120)上，用于感应电场并形成电场力，以使金属层(120)的谐振频率发生变化。本申请通过电荷感应电场改变金属层的谐振频率，以得到电场的强度，有利于提高电场传感器的灵敏度和可靠性。而且，本申请结构简单，对制作工艺的要求较低，有利于降低封装难度。
基本信息
专利标题 ：
电场传感器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114002515A
申请号 ：
CN202111647314.7
公开（公告）日 ：
2022-02-01
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
CN114002515B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
李维平王耀兰之康
申请人 ：
南京高华科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市经济技术开发区栖霞大道66号
代理机构 ：
北京中知法苑知识产权代理有限公司
代理人 ：
李明
优先权 ：
CN202111647314.7
主分类号 ：
G01R29/12
IPC分类号 ：
G01R29/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R29/00
不包括在G01R19/00至G01R27/00各组中的电量的测量或指示装置
G01R29/12
静电场的测量
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2022-02-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 29/12
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-02-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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