一种静电场检测传感器
公开
摘要
本发明实施例公开了一种静电场检测传感器，包括上封装层、下封装层和传感器件；所述传感器件设置在上封装层与下封装层之间，上封装层和下封装层对传感器件的感应部进行封装，传感器件的探测部露出。通过封装层的封装，将静电场检测传感器制成芯片的形式，即可实现静电场检测传感器的小型化设计，大大缩小了静电场检测传感器的体积。解决了传统静电场检测传感器体积较大无法适用于铁电体基板减薄设备及半导体芯片生产设备的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种静电场检测传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114384335A
申请号 ：
CN202111463905.9
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陆文通顾大元韩玲玲乔畅君刘波文张华平苏友金
申请人 ：
深圳市中明科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区福永街道新田大道71-2号立新湖福宁高新产业园B栋6-7层
代理机构 ：
深圳市徽正知识产权代理有限公司
代理人 ：
卢杏艳
优先权 ：
CN202111463905.9
主分类号 ：
G01R29/12
IPC分类号 ：
G01R29/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R29/00
不包括在G01R19/00至G01R27/00各组中的电量的测量或指示装置
G01R29/12
静电场的测量
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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