热电偶传感器及其制备方法
公开
摘要
本发明提供了一种热电偶传感器，包括衬底、隔离介质层、处理电路和热电偶结构。所述处理电路设置于所述衬底正面并与所述隔离介质层的空腔结构相对设置，所述热电偶结构的一部分设置于所述隔离介质层顶面，并跨所述空腔结构设置，另一部分贯穿所述隔离介质层后电接触，使得所述热电偶结构和所述处理电路在投影面积上能够共享衬底面积，提高了集成度；所述隔离介质层设置有顶面开口的空腔结构以实现衬底正面的空腔结构，避免了现有技术中因在衬底背面通过背面深硅刻蚀工艺形成背腔造成的工艺复杂性高、成品率低且成本高的问题。本发明还提供了所述热电偶传感器的制备方法。
基本信息
专利标题 ：
热电偶传感器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300608A
申请号 ：
CN202111682354.5
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
康晓旭钟晓兰蒋宾
申请人 ：
上海集成电路研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
代理机构 ：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄海霞
优先权 ：
CN202111682354.5
主分类号 ：
H01L35/32
IPC分类号 ：
H01L35/32 H01L35/34 G01K7/02
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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