内埋式薄膜热电偶及其制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明涉及一种内埋式薄膜热电偶及其制备方法。内埋式薄膜热电偶包括基底、电极薄膜以及保护膜。基底的表面内凹形成电极槽,电极薄膜设于电极槽内,保护膜覆盖于基底的设有电极槽的表面。通过对热电偶的结构进行设置,使电极薄膜内埋在基底表面内凹形成的电极槽内,并通过保护膜的覆盖对电极薄膜进行封装。此时,电极薄膜与基底之间具有良好的结合力,并且电极薄膜以内埋式的方式位于保护膜和基底之间,这样可以在使用过程中有效降低电极薄膜的脱落风险,提高热电偶的使用稳定性。

基本信息
专利标题 :
内埋式薄膜热电偶及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114459624A
申请号 :
CN202210082116.9
公开(公告)日 :
2022-05-10
申请日 :
2022-01-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
阮勇薛美霞
申请人 :
清华大学
申请人地址 :
北京市海淀区清华园
代理机构 :
北京华进京联知识产权代理有限公司
代理人 :
哈达
优先权 :
CN202210082116.9
主分类号 :
G01K7/02
IPC分类号 :
G01K7/02  G01K15/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01K
温度测量;热量测量;未列入其他类目的热敏元件
G01K7/02
利用热电元件,例如热电偶
法律状态
2022-05-27 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01K 7/02
申请日 : 20220124
2022-05-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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