内埋元件的基板制造方法
授权
摘要
本发明公开了一种内埋元件的基板制造方法。该内埋元件的基板制造方法包括：提供一核心层，此核心层是由第一信号层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层以及第二信号层依序堆叠而成，其中第一绝缘层与第三绝缘层呈固化态，第二绝缘层呈半固化态；在核心层中形成埋孔，并将一至少具有一电极的内埋元件放入埋孔中；压合核心层，使第二绝缘层填入埋孔中，并且将内埋元件周围表面包覆住；在核心层的上表面以及下表面分别形成第一表面线路层以及第二表面线路层，并且使内埋元件与第一表面线路层电性连接。
基本信息
专利标题 ：
内埋元件的基板制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101038886A
申请号 ：
CN200610057444.4
公开（公告）日 ：
2007-09-19
申请日 ：
2006-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
洪清富林素玉薛彬佑
申请人 ：
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾高雄市
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
梁挥
优先权 ：
CN200610057444.4
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L23/488 H05K3/32 H05K1/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2009-02-04 ：
授权
2007-11-14 ：
实质审查的生效
2007-09-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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