内埋元件的基板制造方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种内埋元件的基板制造方法。该基板制造方法包括：首先提供一个由多层半固化态绝缘层堆叠而成的核心层；然后，在核心层形成埋孔，并将至少具有一个电极的内埋元件放置于埋孔中；分别在核心层的上下两表面上形成金属层，再对核心层以及这两个金属层进行压合，以使绝缘层能够填入埋孔中，并将内埋元件的周围表面包覆住；最后，分别对核心层上下表面的金属层进行图案化，以使图案化的金属层在核心层的上表面以及下表面分别形成第一信号层以及第二信号层，并且电性导通内埋元件，使内埋元件的电极与第一信号层电性连接。

基本信息

专利标题：

内埋元件的基板制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101038885A

申请号：

CN200610057442.5

公开（公告）日：

2007-09-19

申请日：

2006-03-15

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

洪清富林素玉薛彬佑

申请人：

日月光半导体制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾高雄市

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

梁挥

优先权：

CN200610057442.5

主分类号：

H01L21/60

IPC分类号：

H01L21/60 H01L23/488 H05K3/32 H05K1/18