基板加工方法及元件制造方法
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摘要
得到一种进行更高精度、高效率地进行分割用的加工之基板加工方法及根据该加工方法、在基板上形成的元件的制造方法。沿要分割基板(10)的预定分割线中、与第1交叉分割线交叉成T字形的第2预定分割线，从与第1预定分割线的交叉点起，以所定长度及深度进行蚀刻加工，对未进行蚀刻加工的预定分割线部分进行用于分割基板(10)的划线、改性、切断等激光加工。
基本信息
专利标题 ：
基板加工方法及元件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812056A
申请号 ：
CN200510022851.7
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山崎丰梅津一成
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200510022851.7
主分类号 ：
H01L21/301
IPC分类号 ：
H01L21/301 H01L21/78 C23F1/02 B28D5/00 B23K26/00 B23K101/40
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/301
把半导体再细分成分离部分，例如分隔
法律状态
2009-04-01 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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