内埋式元件结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种内埋式元件结构及其制造方法，内埋式元件结构包括线路板、电子元件、介电材料层及连接线路层。线路板具有穿槽且包括核心层、第一线路层、第二线路层及导通孔。第一线路层与第二线路层位于核心层的相对两侧。穿槽贯穿第一线路层及核心层。导通孔电性连接第一线路层与第二线路层。电子元件设置于穿槽内且包括多个连接垫。第一线路层的第一电性连接面与连接垫的第二电性连接面共平面。介电材料层填充于穿槽内。连接线路层接触第一电性连接面与第二电性连接面。
基本信息
专利标题 ：
内埋式元件结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114286514A
申请号 ：
CN202111495773.8
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2018-07-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谭瑞敏郑振华王金胜黄重旗
申请人 ：
欣兴电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾桃园市龟山区山莺路179号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋兴
优先权 ：
CN202111495773.8
主分类号 ：
H05K1/18
IPC分类号 ：
H05K1/18 H05K3/32
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H05K 1/18
申请日 : 20180727
申请日 : 20180727
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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