热电堆红外探测器芯片
授权
摘要
本实用新型涉及一种热电堆红外探测器芯片，在SOI衬底上逆向成长各层结构，利用硅硅键合将各层结构转移至湿法深腔Si衬底表面，最后在转移芯片顶部生长吸收层材料。由此，利用硅硅键合将SOI衬底生长的结构层转移到湿法深硅刻蚀完成的硅片上，能使用湿法工艺提高生产效率并降低成本。能避免背面刻蚀过程中正面结构被腐蚀而受到损坏，提高优良率。整体制备方式较为简单，能够优化热电堆响应率、探测率和响应时间制备效率高。
基本信息
专利标题 ：
热电堆红外探测器芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123011494.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
CN216698422U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
周望刘柏含刘泽文陈涛
申请人 ：
苏州希美微纳系统有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区9栋402室
代理机构 ：
北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘洪勋
优先权 ：
CN202123011494.8
主分类号 ：
H01L35/22
IPC分类号 ：
H01L35/22 H01L35/34 H01L35/04
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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